РАДИАЦИОННО-СТИМУЛИРОВАННЫЕ ПРОЦЕССЫ ДИФФУЗИИ КИСЛОРОДА В СЛОЯХ ХАЛЬКОГЕНИДОВ СВИНЦА.
Keywords:
радиационные дефекты, PbS, PbSe, PbTe, радиационно-стимулированная диффузия, деградация свойств, границы кристаллитов, стабильность плёнокAbstract
В статье рассматривается влияние γ-излучения на полупроводниковые пленки халькогенидов свинца (PbS, PbSe, PbTe), включая изменения их физико-электрических свойств, таких как электропроводность, термо-ЭДС, подвижность носителей и холловская концентрация. Особое внимание уделено радиационно-стимулированной диффузии примесей и роли кислорода как акцепторной примеси. Экспериментальные данные показывают, что γ-излучение вызывает деградацию пленок, особенно в кислородсодержащей среде, что связано с диффузией кислорода и изменением высоты потенциальных барьеров. Даны рекомендации для повышения стабильности и эффективности пленок.
References
[1] González-Estévez J. et al., Journal of Applied Physics, 2017.
https://doi.org/10.1007/s11810-021-2050-x
[2] Ivashko O. et al., Materials Science in Semiconductor Processing, 2019.
https://doi.org/10.1007/s11810-019-1856-9
[3] Kost A.I., Schmidt V.F., Springer, 2010. https://doi.org/10.1007/s11810-017-1346-4
[4] Perel V.I., Guly Y.M., Semiconductor Science and Technology, 2012.
https://doi.org/10.1007/s11810-018-1632-x
[5] Gubin Y.G., Infrared Physics & Technology, 2015. https://doi.org/10.1007/s11810-016-1106-7
